Samsung Electronics a anunţat debutul producţiei în masă a pachetului de memorie RAM de 4 GB, în varianta DRAM HBM2. HBM2 înseamnă „high bandwidth memory de generaţie a doua„. Soluţia e destinată pentru sistemele de grafică avansată şi servere enterprise, printre altele.
Modulul de 4 GB DRAM e dezvoltat pe baza procesului de 20 nm şi adoptă designul de chip HBM. El are avantajele consumului redus, performanţei de top şi al fiabilităţii, plus o dimensiune redusă ideală pentru viitoarele generaţii de sisteme HPC. Noul RAM oferă lăţime de bandă de 256 GBps, adică dublu faţă de un pachet DRAM HBM1.Se înregistrează şi o creştere de 7 ori faţă de lăţimea de bandă de 36 GBps a unui chip GDDR5 DRAM de 4 Gb. Memoria de nouă generaţie creşte eficienţa de consum, dublând coeficientul de lăţime de bandă per watt şi integrand tehnologie ECC (error correcting code), pentru extra fiabilitate. Samsung va produce şi module HBM2 DRAM de 8 GB în următoarele luni.
